檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "擴散".ckeyword (精準) and cadvisor.raw="洪儒生"
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本論文第一部分探討金屬鋁層與氫化非晶矽層接合後, 在低溫下鋁擴散進入非晶矽層形成 p 型膜的現象。研究發現, 當擴散溫度 200℃、擴散時間大於 30 分鐘,p 型膜層呈現微 晶化的結構,其導電率可…
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本研究第一部分實驗係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技術,作為矽晶異質接合太陽電池背電場製作的應用。以此技術製備p型膜層的實驗結果顯示,非晶矽層與濺鍍鋁層接觸並經200℃熱處理1小…
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本論文主要探討如何藉由擴散阻隔層的加入適時阻擋低溫下鋁擴散進入非晶矽/單晶矽異質接合界面,以求得p型背電場形成之同時亦保有高異質接合鈍化效果之目的。我們選用兩種擴散阻隔層:第一種是以5奈米厚的氧化銦…